NXP BLF178P

faixa de freqüência de 128 MHz 10 frange

PL (1 dB) potência nominal de saída em 1 dB compressão 1000 W

Sinal de teste: Pulsada RF

PL potência de saída 1200 W

Ganho de potência Gp VDS = 50 V; PL = 1200 W 27 28,5 31 dB

ηD drenar eficiência PL = 1200 W; VDS = 50 V; f = 108 MHz; IDQ = 40 mA 71 75%

Entrada RLIN perda de retorno VDS = 50 V; IDQ = 40 mA; PL = 1200 W -16 -12 dB

A 1200 W LDMOS transistor de potência para aplicações de broadcast e aplicações industriais HF a 110 MHz.

Recursos e benefícios

Controle de potência Fácil

Proteção ESD integrado

Excelente robustez

alta eficiência

Excelente estabilidade térmica

Projetado para operação de banda larga (10 MHz a 108 MHz)

Em conformidade com a Directiva 2002/95/CE, no que respeita Restrição de Substâncias Perigosas

Aplicações: Médicas e científicas industriais, e transmissor de FM