NXP-BLF3G21-6

faixa de freqüência 1800 - 2200 MHz

PL ( 1 dB ) potência nominal de saída em 1 dB compressão 6 W

Sinal de teste: CW

Ganho de potência Gp VDS = 26 V ; PL (PEP) = 6 W 14 15,5 dB

ηD drenar eficiência VDS = 26 V ; f = 2000 MHz; IDQ = 90 mA; PL (PEP) = 6 W 35 39%

IMD3 terceira ordem distorção de intermodulação VDS = 26 V ; IDQ = 90 mA; PL (PEP) ≤ 2 W -50 dBc

IMD3 terceira ordem distorção de intermodulação IDQ = 90 mA; PL (PEP) = 6 W; VDS = 26 V -32 -29 dBc

PL (PEP) de potência de pico  6 W

Entrada RLIN perda de retorno VDS = 26 V ; IDQ = 90 mA; PL (PEP) = 6 W -7 -3 dB

6 W LDMOS transistor de potência para aplicações de estação de base em frequências de HF a 2200 MHz .

Recursos e benefícios

Excelente linearidade back-off

Controle de potência Fácil

Excelente robustez

Ganho de potência alta

Excelente estabilidade térmica

Concebidos para funcionar em banda larga (HF a 2200 MHz)

Sem correspondência interna para a operação de banda larga

proteção ESD

Aplicações

Amplificadores de potência RF para GSM , PHS , EDGE, CDMA e estações rádio-base W- CDMA

Aplicações multicarrier  HF a 2200 MHz faixa de freqüência