Modo de melhoramento de Silício N-canal lateral, D-MOS push-pull transistor SOT540A com tampa de cerâmica. A fonte comum está ligado à flange de fixação.

Recursos e benefíciosG

Ganho de potência alta

Controle de potência Fácil

Excelente robustez

Fonte na parte inferior elimina isoladores DC, reduzindo modo indutância comum

Concebidos para funcionar em banda larga (HF a 800 MHz)

Entrada interna de amortecimento para uma excelente estabilidade em toda a faixa de freqüência

Aplicações transmissor HF a faixa de freqüência de 800 MHz

Symbol Parameter Conditions Min Typ/Nom Max Unit
frange frequency range 1 800 MHz
PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression 150 W
Test signal: CW
PL output power VDS = 32 V; f = 800 MHz 150 W
Gp power gain f = 800 MHz; VDS = 32 V; PL = 150 W 12.5 dB
ηD drain efficiency VDS = 32 V; f = 800 MHz; IDq = 1000 mA; PL = 150 W 60 %