NXPBLF3G21-30

faixa de freqüência frange 1800 A 2200 MHz

PL ( 1 dB ) potência nominal de saída em 1 dB compressão 30 W

Sinal de teste: CW

Ganho de potência Gp VDS = 26 V ; PL (PEP) = 30 W 12.5 13.5 dB

ηD drenar eficiência VDS = 26 V; f = 2000 MHz; IDQ = 450 mA; PL (PEP) = 30 W 32 35%

IMD3 terceira ordem distorção de intermodulação VDS = 26 V ; IDQ = 450 mA; PL (PEP) ≤ 10 W -50 dBc

IMD3 terceira ordem distorção de intermodulação VDS = 26 V ; IDQ = 450 mA; PL (PEP) = 30 W -26 -23 dBc

PL (PEP) de potência de pico envelope 30 W

Entrada RLIN perda de retorno VDS = 26 V ; IDQ = 450 mA; PL (PEP) = 30 W -16 -11 dB

Transistor 30 W LDMOS de energia para aplicações de estação de base nas frequências de HF a 2200 MHz .

Recursos e benefícios

Excelente linearidade back-off

Controle de potência Fácil

Excelente robustez

Ganho de potência alta

Excelente estabilidade térmica

Concebidos para funcionar em banda larga (HF a 2200 MHz)

Sem correspondência interna para a operação de banda larga

proteção ESD

AplicaçõesAmplificadores de potência RF para GSM , PHS , EDGE, CDMA e estações rádio-base W- CDMA

Aplicações multicarrier  HF a 2200 MHz faixa de freqüência de Transmissão